هماکنون برای نخستین بار، محققان این انتشار EUV را ترسیم کردهاند و مدل نظری را ارائه دادهاند که نشان میدهد این انتشار به شکل سهبعدی پلاسما بستگی دارد.
آنها منبع ناشناختهای از نور مافوقبنفش را کشف کردهاند که میتواند برای کارکردهای مختلف از جمله لیتوگرافی نیمهرسانا کارآمد باشد. این فرایند برای ساخت مدارهای یکپارچه به کار میرود.
در آزمایشات انجامشده آندریا جیوانی و رضا ابهری از انستیتوی تکنولوژی فدرال زوریخ در سوئیس یک قطره کوچک به قطر 30 میکرونی قلع را شش هزار بار در ثانیه با لیزر قدرتمندی بمباران کردند.
آنها توزیع فضایی انتشار EUV حاصل را اندازه گرفتند و دریافتند که 30 درصد از آن از ناحیه پشت قطره کوچک که با لیزر به آن شلیک شده بود، ناشی شد.
بر اساس مدل این دانشمندان، این توزیع غیرمنتظره به این دلیل بود که پلاسمایی که تا حدی قطره کوچک را احاطه کرده، در مسیر پالس لیزری منبسط میشود.
ابزاری که پرتوهای باریک را برای اهدافی مانند لیتوگرافی نیمهرسانا تولید میکنند، از آینهها برای متمرکزکردن و کانوندهی این انتشار استفاده میکنند، اما تاکنون کسی از جمعآوری نور مافوقبنفش شدید و متشعشع از پشت قطره اطلاعی نداشت.
با کمک این آزمایش، ابزار آتی میتوانند از این منبع ناشناخته انتشارات EUV استفاده کنند.
آزمایشهای جدید با نشاندادن نقطهای که آینهها باید در اطراف قطره برای جمعآوری و متمرکزکردن جاسازی شوند، برای توسعه ابزار کارآمد باشد.
جزئیات این مطالعه در Journal of Applied Physics منتشر شد.